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[发明专利]一种基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法-CN201910905813.8有效
发明人：罗先刚;王炯;蒲明博;马晓亮;李雄;赵泽宇 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法，包括以下步骤：步骤S1、提供一块光学窗口材料；步骤S2、基片预抛光：采用研磨抛光方法将基片进行预处理，使其透射波前接近加工指标要求，采用干涉仪检测光学窗口的透射波前分布；步骤S3、无掩模直写光刻：根据步骤S2的光学窗口透射波前检测结果，设计用于修正透射波前的无掩模曝光图案，采用设计图案通过无掩模直写光刻对光学窗口实现透射波前修正。该方法可以对光学窗口进行非接触、无应力、定点波前修正，具有加工效率高、修正精度高、成本低等优点。
一种基于无掩模直写光刻光学窗口透射修正方法

[发明专利]无掩模激光直写系统及无掩模激光直写方法-CN202110004223.5在审
发明人：陈大鹏;傅剑宇 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种无掩模激光直写系统及无掩模激光直写方法，无掩模激光直写系统包括：W个光纤阵列，各光纤阵列均包括若干M行＊N列排布的光纤；样品台，样品台上适于承载待光刻晶圆，待光刻晶圆包括至少V个芯片区；版图数据转化模块所述无掩模激光直写系统能提高图形化的效率。
无掩模激光系统方法

[发明专利]无掩模激光直写系统及无掩模激光直写方法-CN202011442428.3有效
发明人：陈大鹏;傅剑宇 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种无掩模激光直写系统及无掩模激光直写方法，无掩模激光直写系统包括：光纤阵列，所述光纤阵列包括若干M行＊N列排布的光纤；样品台，所述样品台上适于承载待光刻工件，所述待光刻工件具有目标刻蚀版图；版图数据转化模块所述无掩模激光直写系统能提高图形化的效率。
无掩模激光系统方法

[发明专利]一种无掩模激光直写光刻设备在生产片对卷时的对准方法-CN201910815576.6有效
发明人：董帅;谢传明 -专利权人：合肥芯碁微电子装备股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种无掩模激光直写光刻设备在生产片对卷时的对准方法，能够实现将单片曝光变成卷对卷连续曝光，能够克服收放卷机构的收板长度误差、片间距误差的技术问题。基于卷对卷无掩模激光直写光刻设备，包括以下步骤：在片对卷的生产模式下，自动搜索对位靶标后开始对准；使用上一片的对准结果，计算出累计进板误差，自动修正下一片的对位参数后再执行曝光过程。本发明克服了卷对卷无掩模激光直写光刻设备在生产片对卷时的对准问题，针对片对卷在生产过程中产生的进片误差和片间距误差，片对准记录的靶点坐标作为对准相机的定位标识，修正了进片误差和片间距误差，节省了相机搜索靶标的时间
一种无掩模激光光刻设备生产对准方法

[发明专利]飞秒激光直写与DMD无掩模光刻复合加工方法-CN202110463256.6在审
发明人：刘华;谭明月 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：飞秒激光直写与DMD无掩模光刻复合加工方法，属于3D微纳加工技术领域，包括复合加工系统搭建，加工前标记制作，映射关系建立，待加工工件的数据拆分，以及精密加工过程中的横向对准和纵向对准。本发明将飞秒激光直写技术所具有的高分辨率和卓越的设计灵活性特性与DMD无掩模光刻技术所具有的快速连续制造特性完美结合，取长补短，获得了高效高精度的加工效果。
激光 dmd 无掩模光刻复合加工方法

[发明专利]无掩模直写光刻系统-CN201910597946.3在审
发明人：胡敬佩;张冲;朱玲琳;曾爱军;黄惠杰 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种无掩模直写光刻系统，包括直写光源、能量控制单元、激光分束控制与扫描单元、聚焦伺服单元、红光检测单元、多轴工件平台和控制单元。在控制单元的总体控制下，所述的直写光源发出的光经过能量控制单元的控制、照射到激光分束控制与扫描单元上，经激光分束控制与扫描单元调控后，再经过聚焦伺服单元聚焦和红光检测单元的检测，最终将多路光束平行地聚焦在光刻胶上进行直写本发明能够实现多光束的独立控制、并行直写和二维振镜扫描，比单点扫描系统提升了成倍的光刻效率。提升了直写光刻机的扫描速率及扫描自由度。
直写扫描单元分束聚焦伺服单元能量控制单元激光光刻系统扫描无掩模红光光源检测聚焦直写光刻机独立控制二维振镜工件平台光束平行扫描系统总体控制多光束光刻胶单点多路多轴光刻并行照射调控

[发明专利]一种掩模版的制备方法-CN202310340788.X在审
发明人：张政 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩模版的制备方法，包括：根据预设掩模版的掩模图案，以逐级放大的方式设计M级掩模图案直至一级掩模图案，M为大于或等于1的整数；采用直写工艺利用一级掩模图案制作一级掩模版；采用光刻工艺，由一级掩模版以逐级缩小的方式制作二级掩模版直至M级掩模版，再由M级掩模版制作预设掩模版，预设掩模版的精度高于直写工艺及光刻工艺的精度。本发明中，通过精度相对较低的直写工艺及光刻工艺制备精度较高的预设掩模版，而且可利用上述过程中的一级至M级掩模版批量制备高精度的预设掩模版，有利于提高制备预设掩模版的生产效率及降低成本。
一种模版制备方法

[发明专利]一种用于无掩模直写光刻的曝光光源控制系统及其工作方法-CN201910898390.1在审
发明人：黄胜洲;王雷;刘有余;梁艺;尚正阳;鞠锦勇;苏永生;方明 -专利权人：安徽工程大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种用于无掩模直写光刻的曝光光源控制系统及其工作方法，该控制系统主要包括UV‑LED芯片、LED恒流驱动板、脉宽调制发生器、数字微镜器件芯片、DMD控制板、开关电源、温度传感器以及相关散热部件等通过将PWM调光技术和DMD数据控制技术相结合可以灵活实现曝光光源的有效控制，该系统克服已有无掩模直写光刻的曝光光源控制系统的不足，具有成本低、寿命长、控制精度高及灵活性等优势。
控制系统曝光光源光刻直写数字微镜器件芯片脉宽调制发生器数据控制技术温度传感器开关电源散热部件有效控制控制板无掩模掩模灵活

[发明专利]一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法-CN202010582950.5有效
发明人：马乐;韦亚一;董立松;杨尚 -专利权人：南京诚芯集成电路技术研究院有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法，根据内拐点将原始版图拆分成多个矩形后，按照第一扩展路径，将相邻的相同走向的矩形进行相反方向的扩展，将相邻的不同走向的矩形进行不同方向的扩展，完成第一次直写，然后按照第一次直写扩展规则，反向所述第一路径进行第二次直写扩展，直至所有矩形扩展完成；同时对第一次直写和第一次直写过程进行冲突判断，并对冲突区域和不合理区域进行处理和调整，对两次直写进行结果验证和规则验证，提高制得的掩模的精度。
一种用于制造激光光刻双重方法

[发明专利]直写光刻系统和直写光刻方法-CN201911303595.7有效
发明人：浦东林;朱鹏飞;朱鸣;邵仁锦;张瑾;王冠楠;陈林森 -专利权人：苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种直写光刻系统和直写光刻方法，其中直写光刻系统包括直写光源、运动机构、中央控制器、光斑图形输入装置以及投影光学装置；运动机构用于带动投影光学装置沿预设路径扫描，并用于发出参考点的位置数据；中央控制器用于根据位置数据读取光斑图形文件序列中对应的光斑图像数据；光斑图形输入装置用于根据光斑图像数据将直写光源提供的起始光束调制生成图形光；投影光学装置用于根据图形光向光刻件的表面投影出变形光斑，并在运动机构的带动下沿预设路径扫描，在扫描过程中光斑图像数据随位置数据而变化本发明的直写光刻系统和直写光刻方法实现了复杂表面三维形貌结构的无掩模灰度光刻，并提高了光刻精度和光刻效率。
光刻系统方法

[发明专利]二元光学元件掩模的制作方法-CN200710170463.2无效
发明人：王多书;叶自煜;刘宏开;罗崇泰;陈焘;李锦磊 -专利权人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
申请日： 2007-11-15 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种二元光学元件掩模的制备方法，它采用激光直写法制作，制作过程是：先在双面抛光的石英玻璃基片上镀铬膜，形成铬版；将掩模的设计数据转换成激光直写设备控制程序，用该程序控制激光直写设备对铬版进行激光定位定量加热氧化，然后对经激光加热氧化后的铬版进行腐蚀，腐蚀后，铬版经激光加热氧化部位形成氧化铬，未经激光加热氧化部位在腐蚀溶液中被溶解，形成铬版掩模。本发明具有设备简单、制作周期短、费用较低、制作精度高的特点，是目前国内外制作光学元件掩模的理想方法。
二元光学元件制作方法

[发明专利]用于无掩模直写光刻的系统和方法-CN201510434808.5有效
发明人：吴政机;杨政宪;王文娟;林世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G06T9/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于无掩模直写光刻的系统和方法。该方法包括：接收表示集成电路(IC)布局的多个像素；识别适合于第一压缩方法的像素的第一子集；以及识别适合于第二压缩方法的像素的第二子集。该方法还包括将压缩数据传输至无掩模直写器，以用于制造衬底。在实施例中，第一压缩方法使用行程编码，并且第二压缩方法使用基于词典的编码。
用于无掩模直写光刻系统方法

[发明专利]一种基于无掩模直写光刻的薄膜微结构加工方法-CN201910906867.6有效
发明人：罗先刚;王炯;蒲明博;马晓亮;李雄;赵泽宇 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于无掩模直写光刻的薄膜微结构加工方法，包括以下步骤：步骤S1、工艺工装盘加工：采用具有稳定物理、化学性质的材料，通过光学、机械加工方法，加工用于薄膜微结构加工的工艺工装盘；步骤S2、薄膜刚性化：将薄膜通过粘结剂固定于工艺工装盘之上，使薄膜在各方向拉应力的作用下产生刚性化效果；步骤S3、无掩模直写光刻：通过涂胶、曝光、显影、刻蚀等光刻工艺流程，在薄膜上加工微结构图案。
一种基于无掩模直写光刻薄膜微结构加工方法

[发明专利]用异型电极实现二元光学元件制作的无掩模刻蚀加工方法-CN202211686336.9在审
发明人：范斌;吴湘;辛强;焦培琦;刘鑫;梁钊宇;邵俊铭;罗倩;高国涵;陈强 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B29C59/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用异型电极实现二元光学元件制作的无掩模刻蚀加工方法，解决了在传统的二元光学元件刻蚀加工过程中图形转印、套刻所面临的复杂而繁琐的加工工艺问题。传统的二元光学元件制作方法中，普遍采用多掩模版套刻、激光直写或者灰阶掩模版图形转印等方法进行元件表面轮廓的加工，其制作成本高、与掩模版相关的工艺复杂且耗时。本发明提供的采用异型电极实现二元光学元件制作的无掩模刻蚀加工方法，可以根据异型电极的台阶式浮雕结构直接对元件表面上的刻蚀速率分布进行调控，无需掩模版的使用，灵活度高，能够快速高效地对二元光学元件进行加工制作
异型电极实现二元光学元件制作无掩模刻蚀加工方法

[发明专利]一种极紫外掩模的制造方法-CN201610736893.5有效
发明人：牛洁斌;殷立峰;沈健 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种极紫外掩模的制造方法。本发明首先将极紫外掩模的总版图拆分并且添加电子束光刻对准标记，在基板衬底上旋涂光刻胶后使用激光直写技术制作大面积微米尺度胶掩蔽图形和电子束光刻对准标记胶掩蔽图形，然后刻蚀铬金属膜吸收层，之后去除光刻胶并清洗基板，再旋涂电子束光刻胶，利用对准标记进行精确定位的电子束直写得到纳米尺度图形的胶掩蔽图形，然后用反应离子各向异性刻蚀吸收体材料铬，之后去除电子束光刻胶，最后清洗并检测掩模板。本方法能制造出同时拥有高分辨率的纳米尺度图形和低分辨率的大面积微米尺度图形的极紫外掩模，弥补了单纯依靠激光直写低分辨率的缺点，解决了单纯依靠电子束直写低效率的问题。
一种紫外制造方法

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